隨著進(jìn)入2023年，點間距<1.0mm的微間距LED市場進(jìn)一步崛起，伴隨著5G、8K等顯示趨勢的不斷深化，不僅僅是來自上游和終端價格的下滑，更是產(chǎn)生了MIP技術(shù)加速入市帶來的“路線”之爭。

Micro LED作為LED顯示時代的終極目標(biāo)，是讓點間距<0.1mm，但現(xiàn)有的技術(shù)瓶頸對大部分廠商來說都是遙不可及的，而Mini LED點間距是0.1mm-0.9mm,因為也可以作為Micro LED的前哨站，已經(jīng)有相關(guān)廠商相繼擁有這一技術(shù)，但由于技術(shù)難度和成本問題，目前的Mini LED還主要應(yīng)用于背光應(yīng)用層面。

目前，Mini LED封裝已經(jīng)形成了包括COB(Chip on Board)技術(shù)和IMD(Integrated Mounted Devices)集合封裝技術(shù)、MIP(Micro LED in Package)三種方案。那這三種方案又各有什么優(yōu)缺點，Voury卓華今天為您解惑。

首先從各自的技術(shù)層面來看COB是一種多燈珠集成化無支架封裝技術(shù)，直接將發(fā)光芯片封裝在PCB板上，省卻了繁瑣的表貼工藝，沒有了支架的焊接腳，每一個像素的 LED芯片和焊接導(dǎo)線都被環(huán)氧樹脂膠體緊密嚴(yán)實地包封在膠體內(nèi)，沒有任何裸露在外的元素，更像是一種面光源，整體性和防護(hù)性都比較優(yōu)。

IMD(Integrated Matrix Devices)矩陣式集成封裝方案(又稱為“N合1”或“多合一”)，目前典型方式為以2*2的形式，即4合1，集成封裝12顆RGB三色LED芯片。

MIP是一種基于Micro LED的新型封裝架構(gòu)，其脫胎于久經(jīng)歷練的小間距顯示產(chǎn)品，本質(zhì)是Micro LED和分立器件的有機(jī)結(jié)合，即將大面積的整塊顯示面板分開封裝，這樣更小面積下其良率控制將得到極大提升，同時測試環(huán)節(jié)從芯片后移至封裝段，將有效降低成本提升速率。

在往微間距顯示時代發(fā)展的過程中，SMD的封裝模式已難以突破更小的點間距，也很難保證高可靠性和防護(hù)性，產(chǎn)業(yè)需要COB、IMD、MIP等技術(shù)路線的接力，再加上全倒裝工藝的加持，采用巨量轉(zhuǎn)移方法，可有效縮小點間距。

自2016年COB封裝引起關(guān)注開始，潛心研究Mini LED 、Micro LED技術(shù)發(fā)展并結(jié)合COB封裝技術(shù)工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷成熟，PCB板墨色一致性和光學(xué)一致性得到不斷提升，已經(jīng)包括正裝COB和倒裝COB兩個系列產(chǎn)品，相較于IMD產(chǎn)品，COB封裝的優(yōu)點包括功率低，散熱效果好，色彩飽和度高等。

2021年，倒裝COB已經(jīng)觸碰到0.4mm的Mini LED層級，隨著技術(shù)的不斷革新，COB行業(yè)將繼續(xù)朝著Micro LED邁進(jìn)。

Voury卓華P0.7COB顯示屏，4K顯示，量產(chǎn)

2018年，隨著IMD封裝的異軍突起，行業(yè)似乎找到了暫時替代方案，并且最大程度保留產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的方法，IMD封裝設(shè)備80%以上兼容，經(jīng)過三年的發(fā)展，IMD封裝的微間距產(chǎn)品可以做到0.9mm，由于SMT的技術(shù)局限性，P0.7mm以下間距的產(chǎn)品基本難以實現(xiàn)量產(chǎn)，隨著鍵位微縮化，產(chǎn)品綜合成本升高。

IMD可以看成一個小的COB單元，所面臨的的技術(shù)難題與COB封裝相似，難度有所降低，但I(xiàn)MD方案存在一定的物理極限，無法無限縮小像素間距。

IMD顯示屏

總的來說，技術(shù)難題在不斷突破，微間距LED顯示行業(yè)正在努力實現(xiàn)Micro LED的技術(shù)目標(biāo)，不管是COB技術(shù)還是IMD技術(shù)，各技術(shù)路線的關(guān)鍵在于快速降本并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，隨著小間距的市場的爆發(fā)，市場對高密高清需求的提升，COB封裝和IMD封裝兩種不同技術(shù)路線的封裝形式也開始同臺競技，成果還需要經(jīng)過市場的檢驗。

2022年，為了更好的發(fā)展Micro LED，國星光電推出新型MIP(Micro LED in Package)封裝器件方案，新型MIP封裝器件方案基于扇出封裝技術(shù)思路，國星光電通過自主開發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移方法，采用黑化基板與高光提取封裝路線構(gòu)筑全新MIP器件，大幅提高器件光電性能，通過將引腳電極放大，使其匹配當(dāng)前機(jī)臺設(shè)備，具有成本低、高亮度、低功耗、兼容性強(qiáng)、可混BIN提高顯示一致性等優(yōu)點。

國星光電介紹，MIP顯示模組一致性高，黑占比超99%，采用特殊光學(xué)設(shè)計，水平視角≥174°，兼容性強(qiáng)，可兼容當(dāng)前設(shè)備機(jī)臺，可完成測試分選、易檢測修復(fù)，更易將Micro LED應(yīng)用于終端市場。

MIP顯示屏

MIP技術(shù)在封裝規(guī)模上堅持一個基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)包括一個完整像素，MIP是典型的獨立燈珠封裝，兼容下游表貼生產(chǎn)工藝，這使得MIP在測試、修復(fù)、工藝容錯方面更為靈活，下游也因采用表貼傳統(tǒng)工藝、以及單一規(guī)格MIP就能滿足多規(guī)格終端產(chǎn)品的特點，變得更靈活。

MIP和COB共同競爭下，“折中”的技術(shù)方案IMD可能會率先邊緣化或者退出歷史舞臺……但是，在共識之外，行業(yè)內(nèi)對MIP和COB技術(shù)的認(rèn)知分歧依然不小。

經(jīng)過多年COB技術(shù)的發(fā)展，COB產(chǎn)業(yè)已經(jīng)建立起成熟可靠的共給體系，且市場規(guī)模不斷擴(kuò)大，最早一批的COB大屏已經(jīng)應(yīng)用超過5年之久，效果和可靠性表現(xiàn)得到了廣泛證實和檢驗，COB作為一種高端技術(shù)方案，已經(jīng)深入人心，成為了高端市場選擇的標(biāo)桿。

MIP封裝的核心優(yōu)勢在于靈活，終端企業(yè)、特別是不掌握COB技術(shù)沒有進(jìn)入芯片級封裝工藝市場的終端品牌，將會是一次進(jìn)入微間距LED市場的極佳路徑，更多的中下品牌會通過MIP進(jìn)入微間距LED顯示市場，可能會帶來“山寨效應(yīng)”，參差不齊的終端品質(zhì)會對MIP技術(shù)的形象造成的影響還未可知，但MIP封裝技術(shù)以其生產(chǎn)組織靈活性，是不是會形成真實的市場競爭力，依然存在巨大懸念。

Voury卓華認(rèn)為，MIP的更大意義是在小間距和微間距上取代IMD和SMD，而不是與COB競爭，未來可能會形成COB和MIP高低搭配的形勢，通過目前市場形勢來看，繼續(xù)做好COB，接納MIP是目前市場的一種選擇，在很長時間內(nèi)，COB和MIP合作會大于競爭，都必須堅持和持續(xù)投入提升，未來最終什么技術(shù)會統(tǒng)治微間距顯示，還需要時間去檢驗。